產(chǎn)品詳情
擴散在高溫擴散爐中進行,harmonic熱處理諧波傳動CSF-11-50-2A-R在高溫爐中完成擴散的三個步驟。高溫爐設(shè)備結(jié)構(gòu)見節(jié)熱處理工藝單元設(shè)備。
通過物理注入方式向硅襯底引入一定數(shù)量的雜質(zhì)harmonic熱處理諧波傳動CSF-11-50-2A-R,將改變硅片的電學性能。離子注入的主要用途是摻雜半導體材料。目前離子注入方法優(yōu)于擴散工藝,成為半導體摻雜工藝的主要方法。
1.離子注入機
離子注入工藝在離子注入機內(nèi)進行。離子注入機結(jié)構(gòu)如圖2.20所示,一般離子注入機設(shè)備包括5個部分。
(1) 離子源。注入離子在離子源中產(chǎn)生,harmonic熱處理諧波傳動CSF-11-50-2A-R正離子由雜質(zhì)氣態(tài)源或固態(tài)源的蒸汽產(chǎn)生。
引出電極(吸級)和離子分析器。離子通過離子源上的一個窄縫被吸出組件吸引。注入機中的磁性離子分析器能將需要的雜質(zhì)離子從混合的離子束中分離出來。