RCA清洗機(jī)
來自江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司
¥200000.00
發(fā)布時(shí)間 2020-08-31 14:52:42
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商家供應(yīng)
?1) SPM: H2 SO4 /H2O2 ( 120 ~ 150) ℃ SPM 具有 很高的氧化能力,可將金屬氧化后溶于清洗液中,并 能把有機(jī)物氧化生成 CO2 和 H2O。用 SPM 清洗硅 片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬,但是 當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去 除。
?2) HF( DHF) : HF( DHF) ( 20 ~ 25) ℃ DHF 可 以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附著在自然氧 化膜上的金屬將被溶解到清洗液中,同時(shí) DHF 抑制 了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面 的 Al,F(xiàn)e,Zn,Ni 等金屬,DHF 也可以去除附著在自 然氧化膜上的金屬氫氧化物。用 DHF 清洗時(shí),在自 然氧化膜被腐蝕掉時(shí),硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。
( 3 ) APM ( SC - 1 ) : NH4OH /H2O2 /H2O ( 30 ~ 80) ℃由于 H2O2 的作用,硅片表面有一層自然氧化 膜( SiO2 ) ,呈親水性,硅片表面和粒子之間可被清洗 液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的 Si 被 NH4OH 腐蝕,因此附著在硅片表面的顆粒便 落入 清 洗 液 中,從而達(dá)到去除粒子的目的。在 NH4OH 腐蝕硅片表面的同時(shí),H2O2 又在氧化硅片 表面形成新的氧化膜。
( 4) HPM( SC - 2) : HCl /H2O2 /H2O( 65 ~ 85) ℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫 下 HPM 就能除去 Fe 和 Zn。
?5) Ultrapure water( UPW) 通常叫做 DI 水,UPW 采用臭氧化的水稀釋化學(xué)品以及化學(xué)清洗后晶片的 沖洗液[3]。
品牌其他
型號(hào)0001
名稱BOE清洗機(jī)
加工定制是
外形尺寸其他
產(chǎn)地其他
江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司
- 公司類型
- 經(jīng)營模式貿(mào)易型-
- 聯(lián)系人張青青
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主營業(yè)務(wù)
多晶制絨硅片清洗機(jī),濕法刻蝕硅片清洗機(jī),全自動(dòng)單晶制絨清洗機(jī)
江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售為一體的專業(yè)太陽能、LED和半導(dǎo)體清洗設(shè)備供應(yīng)商。以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和優(yōu)良的服務(wù)贏得了各界用戶的贊許和信賴。目前,公司主要產(chǎn)品有:多晶制絨硅片清洗機(jī),濕法刻蝕硅片清洗機(jī),全自動(dòng)單晶制絨清洗機(jī),全自動(dòng)去磷硅玻璃清洗機(jī),全自動(dòng)硅料/硅片清洗設(shè)備,硅片槽式清洗設(shè)備,石墨舟/石英管清洗機(jī)等全系列清洗設(shè)備。公司會(huì)始終秉承“以人為本,精益求精,品質(zhì)穩(wěn)定,客戶滿意”的發(fā)展理念,與客戶攜手共進(jìn),共創(chuàng)未來!
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